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TSP/OLED解決方案 柔性屏制造大師的解決方案

等離子處理OLED陽極金屬(ITO)
等離子處理OLED陽極金屬(ITO)

應(yīng)用于彩色顯示器的有機發(fā)光器件(OLED)具有優(yōu)秀的圖象質(zhì)量,特別是在亮度以及對比度等方面。近十年來,對OLED的研究得到廣泛的關(guān)注,對未來的圖象顯示技術(shù)帶來無法估量的沖擊。OLED器件的性能與空穴注入過程有非常密切的關(guān)系,通過使用錫摻雜氧化銦(ITO)做OLED的陽極。

固體表面的結(jié)構(gòu)和組成都與內(nèi)部不同,處于表面的原子或離子表現(xiàn)為配位上的不飽和性,這是由于形成固體表面時被切斷的化學(xué)鍵造成的。正是由于這一原因,固體表面極易吸附外來原子,使表面產(chǎn)生污染。因環(huán)境空氣中存在大量水份,所以水是固體表面最常見的污染物。由于金屬氧化物表面被切斷的化學(xué)鍵為離子鍵或強極性鍵,易與極性很強的水分子結(jié)合,因此,絕大多數(shù)金屬氧化物的清潔表面,都是被水吸附污染了的。

等離子處理OLED陽極金屬(ITO)

等離子體通常使用右圖所示的設(shè)備進行工作。將基片放在底座上,在真空系統(tǒng)中通入不同的混合氣體,并在金屬電極上家射頻電壓將氣體電離,形成等離子體,以非??斓乃俣绒Z擊ITO基片。為了形成較均勻的電場,電極采用金屬柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)。等離子體的作用通常是改變表面粗糙度和提高功函數(shù)。研究發(fā)現(xiàn),等離子作用對表面粗糙度的影響不大,只能使ITO的均方根粗糙度從1.8nm降到1.6nm,但對功函數(shù)的影響卻較大。

用等離子體處理提高功函數(shù)的方法也不盡相同。氧等離子處理是通過補充ITO表面的氧空位來提高表面氧含量的。氧同表面有機污染物反應(yīng)生成CO2和H2O,去除了表面有機污染物。SF6通過在ITO表面形成一層含氟層來提高表面功函數(shù),對粗糙度的改變不明顯。Ar等離子處理是通過除區(qū)在裝載基片過程中吸附的氧來清潔ITO表面的。

OLED封裝預(yù)處理
OLED封裝預(yù)處理

OLED封裝工藝直接影響OLED產(chǎn)品的成品率,而封裝工藝中出現(xiàn)問題的罪魁禍?zhǔn)?9%來源于芯片與基板上的顆粒污染物、氧化物及環(huán)氧樹脂等污染物,如何去除這些污染物一直是人們關(guān)注的問題,等離子清洗作為最近幾年發(fā)展起來的清洗工藝為這些問題提供了經(jīng)濟有效且無環(huán)境污染的解決方案。針對這些不同污染物并根據(jù)基板及芯片材料的不同,采用不同的清洗工藝可以得到理想的效果,但是錯誤的工藝使用則可能會導(dǎo)致產(chǎn)品報廢,例如銀材料的芯片采用氧等離子工藝則會被氧化發(fā)黑甚至報廢。所以選擇合適的等離子清洗工藝在OLED封裝中是非常重要的,而熟知等離子清洗原理更是重中之重。

一般情況下,顆粒污染物及氧化物采用5%H2+95%Ar的混合氣體進行等離子清洗,鍍金材料芯片可以采用氧等離子體去除有機物,而銀材料芯片則不可以。選擇合適的等離子清洗工藝在OLED封裝中的應(yīng)用大致分為以下幾個方面。

    等離子清洗工藝封裝應(yīng)用

  • 點銀膠前基板上的污染物會導(dǎo)致銀膠呈圓球狀,不利于芯片粘貼,而且容易造成芯片手工刺片時損傷,使用等離子清洗可以使工件表面粗糙度及親水性大大提高,有利于銀膠平鋪及芯片粘貼,同時可大大節(jié)省銀膠的使用量,降低成本。
  • 引線鍵合前芯片粘貼到基板上后,經(jīng)過高溫固化,其上存在的污染物可能包含有微顆粒及氧化物等,這些污染物從物理和化學(xué)反應(yīng)使引線與芯片及基板之間焊接不完全或粘附性差,造成鍵合強度不夠。在引線鍵合前進行等離子清洗,會顯著提高其表面活性,從而提高鍵合強度及鍵合引線的拉力均勻性。鍵合刀頭的壓力可以較低(有污染物時,鍵合頭要穿透污染物,需要較大的壓力),有些情況下,鍵合的溫度也可以降低,因而提高產(chǎn)量,降低成本。
  • OLED封膠前在OLED注環(huán)氧膠過程中,污染物會導(dǎo)致氣泡的成泡率偏高,從而導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量及使用壽命低下,所以,避免封膠過程中形成氣泡同樣是人們關(guān)注的問題。通過等離子清洗后,芯片與基板會更加緊密的和膠體相結(jié)合,氣泡的形成將大大減少,同時也將顯著提高散熱率及光的出射率。
等離子清洗過后,檢測芯片與基板清洗效果的另一指標(biāo)為其表面的浸潤特性,通過對幾家產(chǎn)品進行實驗檢測表明未進行等離子清洗的樣品接觸角大約為40°~68°左右;表面進行化學(xué)反應(yīng)機制等離子體清洗的樣品接觸角大約為10°~17°左右;表面進行物理反應(yīng)機制等離子體清洗過的樣品接觸角為20°~28°左右。
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