[文章導(dǎo)讀] 納米壓痕能夠誘導(dǎo)液體靜壓力和剪切應(yīng)力條件，納米壓痕結(jié)合拉曼顯微光譜、透射電子顯微鏡和原位電特性可被用于研究單晶硅相變。采用納米壓痕技術(shù)研究了單晶硅在292 K至210 K溫度范圍內(nèi)的相變過程，得到負載位移曲線，

納米壓痕能夠誘導(dǎo)液體靜壓力和剪切應(yīng)力條件，納米壓痕結(jié)合拉曼顯微光譜、透射電子顯微鏡和原位電特性可被用于研究單晶硅相變。采用納米壓痕技術(shù)（點擊了解詳情）研究了單晶硅在292 K至210 K溫度范圍內(nèi)的相變過程，得到負載位移曲線，并通過拉曼光譜檢測殘余壓痕，結(jié)合MD模擬結(jié)果確定了納米壓痕過程中的相態(tài)。

結(jié)果表明，低溫對壓痕加載過程中Si-II的生成沒有影響，但隨著溫度的降低，彈出現(xiàn)象被抑制。 彈出發(fā)生的概率從260K急劇下降到230K。從Si-II轉(zhuǎn)變的Si-III / XII的生成和增長都被低溫抑制，只有α-Si作為最后相態(tài)。

本文章出自北京歐倍爾，轉(zhuǎn)載請注明出處。