[文章導(dǎo)讀] 等離子體刻蝕是去除表面物質(zhì)的一種重要工藝。等離子刻蝕過程可以具有化學(xué)選擇性,即只從表面取出一種材料而不影響其他的材料;也可以是各向同性的,即只去除溝槽底部的材料而不影響側(cè)壁上同樣的材料。
等離子體刻蝕(點擊了解詳情)是去除表面物質(zhì)的一種重要工藝。等離子刻蝕過程可以具有化學(xué)選擇性,即只從表面取出一種材料而不影響其他的材料;也可以是各向同性的,即只去除溝槽底部的材料而不影響側(cè)壁上同樣的材料。等離子體刻蝕是能各向同性地將一些材料從物體表面去除且在工業(yè)上唯一可行的技術(shù),等離子體刻蝕是現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)中不可缺少的工藝工程。
利用氟原子進行硅刻蝕是目前研究得最清楚的刻蝕系統(tǒng),刻蝕過程中刻蝕速率、選擇比和各向異性比是等離子刻蝕的關(guān)鍵處理方法。
本文章出自北京歐倍爾,轉(zhuǎn)載請注明出處。