[文章導讀] 普通消費品領(lǐng)域用真空等離子清洗機設(shè)備對表面進行預(yù)處理，可以確保各類材料均可實現(xiàn)最大程度的表面活化。生產(chǎn)時不產(chǎn)生有害物質(zhì)，可以確保具有可靠的附著性能，而且無需使用溶劑。

等離子體可以增強化學氣象沉積（點擊了解詳情），北京歐倍爾告訴你幾個等離子體增強化學氣象沉積的實驗。

1、微波等離子體增強化學氣象沉積金剛石薄膜實驗

化學氣相沉積是使幾種氣體（多數(shù)場合為2種）在高溫下發(fā)生熱化學反應(yīng)而生成固體的反應(yīng)。由于等離子體具有高能量密度、高活性離子濃度、從而引發(fā)在常規(guī)化學反應(yīng)中不能或難以實現(xiàn)的物理變化和化學變化，等離子體CVD是通過能量激勵將工作物質(zhì)激發(fā)到等離子體態(tài)從而引發(fā)化學反應(yīng)生成固體，具有沉積溫度低、能耗低、無污染等優(yōu)點，因此等離子體增強化學氣象沉積得到了廣泛的應(yīng)用。

2、石英玻璃等離子體增強化學氣象沉積法制備

石英玻璃等離子體增強化學氣象沉積制備是以高頻等離子體作為熱源，用化學氣相沉積法合成高純石英玻璃的實驗裝置。液滴生長凝聚動力學的分析表明，等離子體增強化學氣象沉積過程中的顆粒沉積過程分為三個階段：化學反應(yīng)階段，成核階段，粘附沉積階段。合成的石英玻璃光譜性能優(yōu)越，羥基低，紫外透過率高，波長在188～3200nm之間的光透過率均在84％以上。能夠滿足高技術(shù)領(lǐng)域?qū)挷ǘ喂馔高^材料的需求。

等離子體增強化學氣象沉積法

3、低溫等離子體增強化學氣象沉積技術(shù)制備碳納米管

由于等離子體在低溫下具有高活性的特點，等離子體增強化學氣象沉積（PECVD）技術(shù)可顯著降低薄膜沉積的溫度范圍。通常條件下，高質(zhì)量碳納米管的生長要求800℃以上的基片溫度，若能使該溫度降到400℃以下，則對許多應(yīng)用非常有利，如可以在玻璃基片上沉積碳納米管場發(fā)射電極。目前，碳納米管基納電子器件的研制這一課題備受關(guān)注，如果能實現(xiàn)低溫原位制備碳納米管，則可能將納電子器件與傳統(tǒng)的微電子加工工藝結(jié)合并實現(xiàn)超大容量的超大規(guī)模集成電路。

4、等離子體增強化學氣象沉積條件對氮化硅薄膜性能的影響

氮化硅薄膜是一種物理、化學性能十分優(yōu)良的介質(zhì)膜，具有高的致密性、高的介電常數(shù)、良好的絕緣性能和優(yōu)異的抗Na+能力等，因此廣泛應(yīng)用于集成電路的最后保護膜、耐磨抗蝕涂層、表面鈍化、層間絕緣、介質(zhì)電容等。氮化硅膜已用于制作新功能、多功能、高可靠性的器件，等離子表面處理，其特性在很大程度上依賴于薄膜的制作條件。等離子體增強化學氣象沉積（簡稱PECVD）具有沉積溫度低（ < 400 ℃） 、沉積膜針孔密度小、均勻性好、臺階覆蓋性好等優(yōu)點。PECVD氮化硅薄膜技術(shù)已在半導體器件、集成電路的研制、芯片的鈍化膜和多層布線間介質(zhì)膜制作中得到廣泛應(yīng)用，并發(fā)展成為大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路（LSI和VLSI）工藝的重要組成分。隨沉積生長條件的不同，薄膜特性差別很大，有必要對氮化硅膜的性質(zhì)與沉積條件進行全面的研究。

5、等離子體增強化學氣象沉積端面減反膜的研究

利用等離子體增強化學氣象沉積（PECVD）技術(shù)制作半導體有源器件端面減反膜的方法簡單易行，且適合進行大規(guī)模在片制作。采用1/ 4 波長匹配法對減反膜的折射率、膜厚及其容差進行了理論設(shè)計，并在選定折射率下，對PECVD 的沉積速率進行了測量。在此基礎(chǔ)上，制作了1. 31μm InGaAsP 氧化膜條形結(jié)構(gòu)超輻射發(fā)光二極管，通過測定輸出光譜調(diào)制系數(shù)的方法確定出減反射膜的反射率為6. 8 ×10-4 ，并且具有很好的可重復性。

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